基于熱絲 CVD 裝備的 Topcon 電池解決方案

【概要描述】

分類：產(chǎn)品中心
作者：
來源：
發(fā)布時間：2022-07-19
訪問量：0

詳情

　　Topcon太陽電池迄今為止制造技術(shù)路線仍處于百家爭鳴階段，尚未有一種技術(shù)獲得所有企業(yè)的一致認可。我們開發(fā)了系列基于HoFCVD技術(shù)路線的生產(chǎn)技術(shù)路線，具有如下基本優(yōu)點：
　　?  熱絲CVD法對每個膜層的沉積，均無“繞鍍、繞擴”的問題；天然的邊緣隔離；
　　?  相比于PECVD鍍膜，熱絲CVD速度快、產(chǎn)能大、設(shè)備價格低、運維成本低；
　　?  石英管免維護更換；
　　使用HoFCVD技術(shù)替代現(xiàn)有擴硼和poly-Si的制備技術(shù)，基本方案如下所示所示：

　　熱絲CVD技術(shù)用于p型硼擴層的基本思路：將摻入摻雜原子（硼）形成源層，與推結(jié)分成2步進行。

技術(shù)路線優(yōu)勢：
　　?  無繞擴，可方便實現(xiàn)擴散層的圖案化結(jié)構(gòu)：利用熱絲CVD鍍膜無繞鍍的特性。
　　?  無需更換石英管：沒有硼硅玻璃，不會腐蝕石英管。
　　?  產(chǎn)品均勻性好、重復(fù)性好：熱絲CVD的鍍膜特征導(dǎo)致的。
　　?  擴散方阻、摻雜濃度和結(jié)深靈活，可控性好：在熱絲CVD鍍膜時可精確控制硼、硅原子等的濃度。
　　?  擴散層中濃度分布均勻性好：熱絲CVD的鍍膜均勻性好決定的。
　　?  擴散層中無氧：鍍膜和擴散過程中全過程無氧。
對于Topcon電池的量產(chǎn)裝備方案：
　　無氧擴硼工藝和poly-Si工藝均由1臺熱絲CVD設(shè)備和1臺石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成；根據(jù)具體需要的不同，熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進行調(diào)整；石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進行調(diào)整。
　　?  設(shè)備由1臺熱絲CVD鍍膜設(shè)備和2臺濕氧氧化爐構(gòu)成；
　　?  熱絲CVD設(shè)備有1個Load/預(yù)熱腔；1個鍍膜腔；1個Unload腔構(gòu)成；
　　?  產(chǎn)能每小時約8000片；單次沉積2個載板，單個載板可以放置120片尺寸為156-182mm之間的硅片。
　　?  可根據(jù)客戶需要，沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜；膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
　　?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
　　?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片，溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控；標(biāo)配氮氣和水蒸氣兩路氣體（可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路）。

　　量產(chǎn)型HoFCVD裝備及上下料自動化方案：8000片產(chǎn)能（圖片僅供參考）

對于研發(fā)型擴硼和poly-Si工藝：
　　無氧擴硼工藝和poly-Si工藝均由1臺熱絲CVD設(shè)備和1臺石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成；根據(jù)具體需要的不同：熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進行調(diào)整；石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進行調(diào)整。
　　?  設(shè)備由1臺熱絲CVD鍍膜設(shè)備和1臺濕氧氧化爐構(gòu)成；
　　?  熱絲CVD設(shè)備有1個載板上下料的掛架、1個Load/Unload腔體、1個鍍膜工藝腔構(gòu)成；
　　?  單個載板可以放置9片尺寸為156-182mm之間的硅片。
　　?  可根據(jù)客戶需要，沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜；膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
　　?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
　　?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片，溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控；標(biāo)配氮氣和水蒸氣兩路氣體（可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路）。